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CY62147CV30LL-70BAI 参数 Datasheet PDF下载

CY62147CV30LL-70BAI图片预览
型号: CY62147CV30LL-70BAI
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内容描述: 256K ×16静态RAM [256K x 16 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 303 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62147CV25/30/33
的MoBL ™
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间: 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间: 1 V / ns的
相当于:
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16.6
15.4
8
1.20
3.0V
1.105
1.550
0.645
1.75
3.3V
1.216
1.374
0.645
1.75
单位
KΩ
KΩ
KΩ
数据保持特性
(在整个工作范围内)
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[5]
t
R[6]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
& LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
3
典型值。
[4]
马克斯。
V
CCmax
10
单位
V
µA
ns
ns
数据保存波形
[7]
数据保持方式
V
CC
CE或
BHE.BLE
V
CC(分钟)
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC(分钟)
t
R
注意:
6.全部设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC(分钟)
& GT ; 100
µ
s或稳定在V
CC(分钟)
>100
µ
s.
7. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
文件编号: 38-05202修订版**
第14页5