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CY7C1041CV33-10ZC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1041CV33-10ZC图片预览
型号: CY7C1041CV33-10ZC
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内容描述: 4兆位( 256K ×16 )静态RAM [4-Mbit (256K x 16) Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 599 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1041CV33
热阻
[3]
参数
描述
测试条件
TSOP -II
42.96
10.75
FBGA
38.15
9.15
SOJ
25.99
18.8
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻(结到环境) ,测试条件遵循标准
热阻(结点到外壳)的测试方法和程序
测量热阻抗,
按照EIA / JESD51 。
交流测试负载和波形
[4]
10 ns的设备
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
Z = 50Ω
12-, 15-, 20 -NS设备
3.3V
R 317Ω
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351Ω
高阻抗特性
R 317Ω
(a)
所有的输入脉冲
(b)
3.3V
产量
5 pF的
R2
351Ω
3.0V
90%
GND
10%
90%
10%
上升时间: 1 V / ns的
(c)
下降时间: 1 V / ns的
(d)
AC开关特性
[5]
在整个工作范围
-10
参数
读周期
t
power[6]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
V
CC
(典型值)的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[7, 8]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
0
6
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
7
0
5
3
6
0
15
7
0
8
3
10
5
0
6
3
7
0
20
8
100
10
10
3
12
6
0
7
3
8
100
12
12
3
15
7
0
8
100
15
15
3
20
8
100
20
20
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
注意事项:
4. AC特性(除了高Z )为10毫微秒的部分使用图(一)所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用戴维宁负载测试
(b)如图所示。高Z特性进行测试,以便使用图( d)所示的试验负荷所有速度。
5.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V 。
6. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ,该最小量
CC
值,直到所述第一存储器存取可以被执行。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分(D ) 。过渡测
±500
毫伏从稳态电压
8.在任何给定的温度和电压条件下,叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义,和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写,和过渡
这两种信号可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿并因此终止了
写。
文件编号: 38-05134牧师* H
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