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CY7C1041CV33-10ZC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1041CV33-10ZC图片预览
型号: CY7C1041CV33-10ZC
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内容描述: 4兆位( 256K ×16 )静态RAM [4-Mbit (256K x 16) Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 599 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1041CV33
AC开关特性
[5]
在工作范围(续)
-10
参数
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
周期
[9, 10]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到
低Z
[7]
WE低到高-Z
[7, 8]
字节使能,以结束写的
7
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
8
12
8
8
0
0
8
6
0
3
6
10
15
10
10
0
0
10
7
0
3
7
10
20
10
10
0
0
10
8
0
3
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号( OE控制)
[12, 13]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE , BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
阻抗
数据输出
注意事项:
10.写周期第3的最低写入周期时间(我们控制, OE低)为t的总和
HZWE
和T
SD
.
11.设备不断选择。 OE , CE, BHE和/或BHE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号: 38-05134牧师* H
第12页6