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    CY7C1041CV33-10ZC 参数 Datasheet PDF下载

    CY7C1041CV33-10ZC图片预览
    型号： CY7C1041CV33-10ZC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM [4-Mbit (256K x 16) Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 599 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY7C1041CV33-10ZC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C1041CV33-10ZC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C1041CV33-10ZC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C1041CV33-10ZC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C1041CV33-10ZC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY7C1041CV33-10ZC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号CY7C1041CV33-10ZC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号CY7C1041CV33-10ZC的Datasheet PDF文件第11页  
    CY7C1041CV33
    开关波形
    （续）
    写周期第1号（ CE控制）
    [14, 15]
    t
    WC
    地址
    CE
    t
    SA
    t
    SCE
    t
    AW
    t
    PWE
    WE
    t
    BW
    BHE ， BLE
    t
    SD
    数据I / O
    t
    HD
    t
    HA
    写周期2号（ BLE或BHE控制）
    t
    WC
    地址
    BHE ， BLE
    t
    SA
    t
    BW
    t
    AW
    t
    PWE
    WE
    t
    SCE
    CE
    t
    SD
    数据I / O
    t
    HD
    t
    HA
    注意事项：
    14.数据的I / O为高阻抗，如果OE或BHE和/或BLE = V
    IH
    .
    15.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
    文件编号： 38-05134牧师* H
    第12页第7
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