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CY7C185-35SC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CY7C185-35SC
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内容描述: 64千位(为8K × 8 )静态CMOS RAM以获得最佳速度/功耗 [64-Kbit (8 K × 8) Static RAM CMOS for optimum speed/power]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管输出元件输入元件PC
文件页数/大小: 15 页 / 380 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C185
开关波形
图2.读周期1号
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
图3.读周期2号
CE
1
t
RC
CE
2
OE
OE
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
ICC
50%
ISB
阻抗
数据输出
笔记
8.设备不断选择。 OE ,CE
1
= V
IL
。 CE
2
= V
IH
.
9.我们是高读周期。
10.数据I / O是高阻抗,如果OE = V
IH
,CE
1
= V
IH
我们= V
IL
,或CE
2
=V
IL
.
11.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低,CE
2
HIGH和LOW WE 。 CE
1
我们必须较低, CE
2
必须为高电平启动
写。写可通过CE终止
1
或者我们是否高或CE
2
变低。数据输入建立和保持时间必须参考的上升沿
信号终止写。
文件编号: 38-05043牧师* E
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