CY7C185
开关特性
在整个工作范围
-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE1
t
SCE2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
WE高到低Z
3
15
12
12
12
0
0
12
8
0
7
5
20
15
15
15
0
0
15
10
0
7
5
35
20
20
25
0
0
20
12
0
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效
CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高
Z
-20
最大
民
20
15
20
5
15
15
8
20
20
9
3
7
8
5
3
7
8
0
15
20
0
5
3
3
5
最大
民
35
-35
最大
单位
ns
35
35
35
15
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
ns
ns
20
ns
描述
民
15
3
3
3
3
CE
1
低到低Z
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
CE
2
低到高Z
CE
1
低到电
CE
2
变为高电平，上电
CE
1
高到掉电
CE
2
低到掉电
0
笔记
4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时的1.5伏，输入脉冲的0电平的参考电平到3.0V ，并在指定的I的输出负载
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE ，
t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
6.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE1
和T
LZCE2
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。所有的3个信号必须是活动开始写，要么信号
可以通过去HIGH终止写。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05043牧师* E
第15个5
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
