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NDS9936图片预览
型号: NDS9936
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 345 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
(续)
12
30
,跨导( SIEMENS )
10
T J = -55°C
10
3
1ms
10m
s
8
25°C
I
D
,漏电流( A)
100m
1
0.3
0.1
0.03
0.01
s
6
125°C
10s
V
GS
= 10V
单脉冲
T
A
= 25°C
4
2
g
FS
V
DS
= 1 0 V
0
0
2
4
6
8
10
1
2
3
5
10
20
30
I
D
,漏电流( A)
V
DS
,漏源电压(V )
图13.跨导变化与漏
电流和温度。
图14.最大安全工作区。
1
0 .5
瞬态热阻
R(T ) ,规范有效
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
0 .0 0 5
0 .0 0 2
0 .0 0 1
0 .0001
R
JA
(吨) = R (t)的R *
JA
θ
θ
R
JA
=见注释1℃
θ
t
1
T
J
- T
t
2
= P * R
JA
(t)
A
θ
占空比D = T
1
/ t
2
0 .001
0 .0 1
0 .1
1
10
100
300
t
1
,时间(秒)
图15.瞬态热响应曲线
.
注意:
热特性进行使用笔记1c中描述的条件。瞬态热响应将发生变化
根据电路板的设计。
NDS9936.SAM