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    NDS9936 参数 Datasheet PDF下载

    NDS9936图片预览
    型号： NDS9936
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 345 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第9页  
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    符号
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    参数
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    条件
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250 µA
    V
    DS
    = 24 V, V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 55°C
    门 - 体泄漏，正向
    门 - 体泄漏，反向
    栅极阈值电压
    静态漏源导通电阻
    V
    GS
    = 20 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    = -20 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250 µA
    T
    J
    =125°C
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 5 A
    T
    J
    =125°C
    V
    GS
    = 4.5 V，I
    D
    = 3.9 A
    T
    J
    =125°C
    I
    D（上）
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    通态漏电流
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    打开 - 延迟时间
    打开 - 上升时间
    打开 - 关闭延迟时间
    打开 - 关闭下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    V
    DS
    = 15 V,
    I
    D
    = 5 A，V
    GS
    = 10 V
    V
    DD
    = 15 V，I
    D
    = 1 A,
    V
    GS
    = 10 V ，R
    根
    = 6
    Ω
    V
    GS
    = 10 V, V
    DS
    = 10 V
    V
    GS
    = 4.5 V, V
    DS
    = 10 V
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 3.5 A
    V
    DS
    = 15 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0 MHz的
    动态特性
    525
    315
    185
    12
    10
    25
    10
    17
    1.5
    3.7
    30
    25
    50
    50
    35
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    40
    20
    3
    8
    S
    1
    0.7
    1.4
    1.1
    0.044
    0.066
    0.066
    0.099
    民
    30
    2
    20
    100
    -100
    3
    2.2
    0.05
    0.1
    0.08
    0.16
    A
    典型值
    最大
    单位
    V
    µA
    µA
    nA
    nA
    V
    开关特性
    基本特征
    （注2 ）
    Ω
    开关特性
    （注2 ）
    © 1993仙童半导体公司
    NDS9936.SAM

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