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    NDS9936 参数 Datasheet PDF下载

    NDS9936图片预览
    型号： NDS9936
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 345 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第9页  
    典型电气特性
    18
    V
    GS
    =10V
    I
    D
    ，漏源电流（A ）
    2
    6.0 5.0 4.5
    12
    漏源导通电阻
    4.0
    R
    DS （ ON）
    归一化
    1.8
    V
    GS
    = 3.5V
    3.5
    1.6
    1.4
    4.0
    4.5
    5.0
    3.0
    6
    1.2
    1
    6.0
    10
    2.5
    0
    0
    1
    2
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    3
    0.8
    0
    2
    4
    6
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    8
    10
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与栅极电压
    和漏极电流。
    1.6
    2.5
    I
    D
    = 5A
    漏源导通电阻
    1.4
    漏源导通电阻
    T（ ℃） 125
    J
    25
    -55
    V
    GS
    = 4.5 V
    10V
    4 .5V
    V
    GS
    = 10V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    R
    DS （ ON）
    归一化
    2
    1.2
    1.5
    1
    0.8
    1
    10V
    4 .5V
    10V
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T，结温（ ° C）
    J
    125
    150
    0.5
    0
    2
    4
    6
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    8
    10
    图3.导通电阻变化
    与温度。
    图4.导通电阻变化与漏
    电流和温度。
    V
    DS
    = 15V
    8
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    TJ = -55°C
    25
    125
    V
    th
    归一化
    门源阈值电压
    10
    1.2
    1.1
    V
    DS
    = V
    GS
    I
    D
    = 250µA
    1
    6
    0.9
    4
    0.8
    2
    0.7
    0
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    3.5
    4
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图5.传输特性。
    图6.门阈值变化与
    温度。
    NDS9936.SAM

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