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MRF8P9300HSR6 参数 Datasheet PDF下载

MRF8P9300HSR6图片预览
型号: MRF8P9300HSR6
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内容描述: 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器
文件页数/大小: 18 页 / 837 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS — 865-
-895 MHz
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 100 W (Avg.)
21.5 I = 2400 mA, Single--Carrier W--CDMA
DQ
21
G
ps
, POWER GAIN (dB)
20.5
20
19.5
19
18.5
18
17.5
17
820
840
ACPR
860
880
900
920
940
PARC
960
IRL
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
G
ps
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
22
44
η
D
41
38
35
32
--30
ACPR (dBc)
--32
--34
--36
--38
--40
980
0
--5
--10
--15
--20
--25
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
--0.5
--1.5
--2
--2.5
--3
PARCz (dB)
--1
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Output Peak- -Average Ratio Compression (PARC)
-to-
Broadband Performance @ P
out
= 100 Watts Avg.
22
21
G
ps
, POWER GAIN (dB)
20
19
18
17
16
ACPR
1
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
865 MHz
60
η
D
50
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
40
30
20
895 MHz
880 MHz
865 MHz
100
10
0
--10
--20
--30
--40
--50
--60
ACPR (dBc)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 2400 mA, Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
G
ps
880 MHz
895 MHz
Input Signal PAR = 7.5 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
0
300
Figure 15. Single-
-Carrier W-
-CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
24
Gain
20
16
GAIN (dB)
12
IRL
8
4
0
620
V
DD
= 28 Vdc
P
in
= 0 dBm
I
DQ
= 2400 mA
690
760
830
900
970
1040
1110
--16
--20
--24
1180
--4
--8
--12
IRL (dB)
0
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 16. Broadband Frequency Response
MRF8P9300HR6 MRF8P9300HSR6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
11