欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MRF8P9300HSR6 参数 Datasheet PDF下载

MRF8P9300HSR6图片预览
型号: MRF8P9300HSR6
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器
文件页数/大小: 18 页 / 837 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
 浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第9页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第10页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第11页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第13页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第14页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第15页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第16页  
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 2400 mA, P
out
= 100 W Avg.
f
MHz
820
840
860
880
900
920
940
960
980
Z
source
0.45 -- j0.78
0.42 + j0.34
0.39 + j0.05
0.40 + j0.05
0.49 + j0.84
0.75 + j1.32
1.58 + j1.77
2.16 + j0.62
1.37 + j0.64
Z
load
1.72 -- j0.73
1.67 -- j0.39
1.59 -- j0.06
1.44 -- j0.17
1.35 + j0.35
1.30 + j0.61
1.32 + 0.93
1.27 + j1.14
1.21 + j1.30
Z
source
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Input
Matching
Network
Z
source
Z
load
Figure 17. Series Equivalent Source and Load Impedance — 865-
-895 MHz
MRF8P9300HR6 MRF8P9300HSR6
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor