欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MRF8P9300HSR6 参数 Datasheet PDF下载

MRF8P9300HSR6图片预览
型号: MRF8P9300HSR6
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器
文件页数/大小: 18 页 / 837 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
 浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第10页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第11页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第12页浏览型号MRF8P9300HSR6的Datasheet PDF文件第13页  
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA, Pulsed CW, 10
μsec(on),
10% Duty Cycle
58
57
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
f = 920 MHz
Actual
f = 940 MHz
f = 960 MHz
Ideal
P
in
, INPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
f
(MHz)
920
940
960
P1dB
Watts
229
214
219
dBm
53.6
53.3
53.4
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
920
940
960
P1dB
P1dB
P1dB
Z
source
1.58 -- j2.40
1.77 -- j3.02
1.98 -- j3.46
Z
load
0.84 -- j1.69
0.76 -- j1.90
0.75 -- j1.51
Figure 12. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
NOTE: Measurement made on a per side basis.
MRF8P9300HR6 MRF8P9300HSR6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
9