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IRLML6302TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRLML6302TRPBF图片预览
型号: IRLML6302TRPBF
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 285 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRLML6302PbF
Q
G
V
DS
V
GS
R
G
R
D
-4.5V
V
G
-4.5V
Charge
Pulse Width
≤ 1
µs
Duty Factor
≤ 0.1 %
Fig 9a.
Basic Gate Charge Waveform
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
50KΩ
12V
.2µF
.3µF
90%
V
GS
-3mA
I
G
I
D
Current Sampling Resistors
Fig 9b.
Gate Charge Test Circuit
1000
Thermal Response (Z
thJA
)
100
D = 0.50
0.20
0.10
10
0.05
0.02
0.01
P
DM
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1
/ t
2
2. Peak T
J
= P
DM
x Z
thJA
+ T
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1
0.1
0.00001
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
+
D.U.T.
V
DS
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
+
-
Q
GS
Q
GD
D.U.T.
V
DD
-
5