快速发布采购 管理采购信息

IRF7831 PDF Datasheet浏览和下载

型号.:
IRF7831
PDF下载:
下载PDF文件 在线浏览文档
内容描述:
?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
文件大小:
171 K
文件页数:
10 Pages
品牌Logo:
品牌名称:
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]



 浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第10页 
IRF7831
功率MOSFET选择的非隔离式DC / DC转换器
控制用FET
特别注意了对功率损耗
在电路中的开关元件 - Q1和Q2 。
在高侧开关Q1的功率损耗,也称为
的控制用FET ,被上述R的影响
DS ( ON)
MOSFET的,但这些传导损耗只有约
二分之一的总损耗。
在控制开关Q1的功率损耗给出
通过;
同步FET
为Q2的功率损耗公式近似
通过;
*
P
损失
=
P
传导
+
P
+
P
产量
DRIVE
P
损失
=
I
RMS
×
R
DS ( ON)
+
(
g
×
V
g
×
f
)
Q
(
2
)
P
损失
= P
传导
+ P
开关
+ P
DRIVE
+ P
产量
这可以被扩展和通过近似;
Q
+ 
OSS
×
V
in
×
f
+
(
Q
rr
×
V
in
×
f
)
2
*消耗主要是在第一季度。
对于同步MOSFET Q2 ,R
DS ( ON)
是一种重
portant特征;然而,再次im-
栅极电荷portance不能因为忽视
它会影响三个关键领域。在轻载下的
MOSFET仍然必须由CON组来接通和关断
控制集成电路这样的栅极驱动损耗变得更加
显著。其次,输出电荷Q
OSS
并重新
诗句恢复电荷Q
rr
双方产生的损失
被转移到Q1和增加耗散
该设备。第三,栅极电荷将会影响
MOSFET的易感性与Cdv / dt的开启。
Q2的漏极连接到该交换节点
所述转换器,并且因此认为过渡BE-
吐温地面和V
in
。作为Q1导通和关断有
漏极电压的dV / dt的变化率是钙
pacitively耦合到Q2的栅极和可诱导
在栅极的电压尖峰,足以使
在MOSFET上,导致贯通电流。
Q的比
gd
/Q
gs1
必须最小化,以减少
潜在的犬瘟热病毒/ DT打开。
P
损失
=
(
I
RMS
×
R
DS ( ON)
)
2
Q
GS 2
Q
gd
 
+
I
×
×
V
in
×
f
 + 
I
×
×
V
in
×
f
i
g
i
g
 
+
(
Q
g
×
V
g
×
f
)
+
Q
OSS
×
V
in
×
f
2
这种简化的损耗计算公式包含的条款Q
gs2
和Q
OSS
这是新的功率MOSFET的数据表。
Q
gs2
是传统的栅极 - 源极的一个子元素
收费中包括的所有MOSFET数据表。
分裂的重要性这栅极 - 源极电荷
成两个子元素,Q
gs1
和Q
gs2
可从可见
图16 。
Q
gs2
表示必须由被供给的电荷
的时间,该阈值之间的栅极驱动器
电压已经达到和时间的漏极电流
房租上升到我
DMAX
此时的漏极电压BE-
轧花改变。最小化Q
gs2
是一个关键因素
降低Q1的开关损耗。
Q
OSS
是必须要提供给输出的电荷
把MOSFET的电容中每隔开关
荷兰国际集团循环。图A显示了如何Q
OSS
是由形成
电压依赖的并联组合(非
线性)电容?? S·C
ds
和C
dg
当乘
电源输入总线的电压。
图A :Q
OSS
特征
8
www.irf.com