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型号：	IRF7831
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内容描述：	?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	10 页 / 171 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

IRF7831

功率MOSFET选择的非隔离式DC / DC转换器

控制用FET

特别注意了对功率损耗

在电路中的开关元件 - Q1和Q2 。

在高侧开关Q1的功率损耗，也称为

的控制用FET ，被上述R的影响

DS （ ON）

的

MOSFET的，但这些传导损耗只有约

二分之一的总损耗。

在控制开关Q1的功率损耗给出

通过;

同步FET

为Q2的功率损耗公式近似

通过;

损失

传导

产量

DRIVE

损失

RMS

DS （ ON）

(

)

(

)

损失

= P

传导

+ P

开关

+ P

DRIVE

+ P

产量

这可以被扩展和通过近似;





+ 

OSS

(

)





*消耗主要是在第一季度。

对于同步MOSFET Q2 ，R

DS （ ON）

是一种重

portant特征;然而，再次im-

栅极电荷portance不能因为忽视

它会影响三个关键领域。在轻载下的

MOSFET仍然必须由CON组来接通和关断

控制集成电路这样的栅极驱动损耗变得更加

显著。其次，输出电荷Q

OSS

并重新

诗句恢复电荷Q

双方产生的损失

被转移到Q1和增加耗散

该设备。第三，栅极电荷将会影响

MOSFET的易感性与Cdv / dt的开启。

Q2的漏极连接到该交换节点

所述转换器，并且因此认为过渡BE-

吐温地面和V

。作为Q1导通和关断有

漏极电压的dV / dt的变化率是钙

pacitively耦合到Q2的栅极和可诱导

在栅极的电压尖峰，足以使

在MOSFET上，导致贯通电流。

Q的比

gs1

必须最小化，以减少

潜在的犬瘟热病毒/ DT打开。

损失

(

RMS

DS （ ON）

)



GS 2

 



+

 + 





 



(

)



OSS







这种简化的损耗计算公式包含的条款Q

gs2

和Q

OSS

这是新的功率MOSFET的数据表。

gs2

是传统的栅极 - 源极的一个子元素

收费中包括的所有MOSFET数据表。

分裂的重要性这栅极 - 源极电荷

成两个子元素，Q

gs1

和Q

gs2

可从可见

图16 。

gs2

表示必须由被供给的电荷

的时间，该阈值之间的栅极驱动器

电压已经达到和时间的漏极电流

房租上升到我

DMAX

此时的漏极电压BE-

轧花改变。最小化Q

gs2

是一个关键因素

降低Q1的开关损耗。

OSS

是必须要提供给输出的电荷

把MOSFET的电容中每隔开关

荷兰国际集团循环。图A显示了如何Q

OSS

是由形成

电压依赖的并联组合（非

线性）电容?? S·C

和C

当乘

电源输入总线的电压。

图A ：Q

OSS

特征

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