初步信息
L9D125G80BG4
2.5 GB， DDR - SDRAM集成模块（ IMOD ）
概述
该逻辑器件，为2.5Gb ， DDR SDRAM IMOD ，是一个成员的
集成模块系列。该系列集成内存模块
包含了DDR3 / DDR2和DDR设备定义三种封装足迹
打印包括本25平方毫米，在16mm X 22毫米封装和25毫米X
32毫米足迹。此设备，高速CMOS随机存取，英特
根据使用的（ 5 ）硅器件的每个载碎存储设备
荷兰国际集团536,870,912位。每个芯片在内部配置为四银行
SDRAM 。每134 ， 217 ， 728位银行的组织结构8,192的筹码
行1024列由16位。每个硅器件等同于
一个字或双字节，包含数据模板和数据的每个字节
选通信号。
所述的2.5Gb的DDR IMOD使用双倍数据速率（DDR）架构，以
实现高速操作。在双数据速率的体系结构是一个
的2n预取结构以用于传输两个数据接口
每个时钟周期的话，通过在I / O引脚。一个单一的读或写访问
为2.5Gb的DDR IMOD有效地由一个单一的2n位的宽， 1
在内部DRAM芯和两个相应的时钟周期的转移
正位宽，在DQ （ I / O）引脚半个时钟周期的数据传输。
双向数据选通（ DQSLx ， DQSHx ）是外部发送。
与数据一起，用于在端点接收器在数据采集中使用。 DQSLx ，
DQSHx被读取过程中由DDR SDRAM传输闪光操作
tions和用在写操作的存储器控制器。每
频闪， DQSLx ， DQSHx控制每个包含在每两个字节
中所含的LDI的IMOD的（5）的硅芯片。
该2.5Gb的DDR SDRAM从差分时钟（ CLKX ， CLKX \\ ）操作;
的CLKX变为高电平和CLKX \\变低道口将被称为
为CLK的上升沿。命令（地址和控制信号）
注册在CLK的每一个上升沿。输入数据被登记在
两者的DQS的边缘，和输出数据是参照DQS的两个边缘，
以及对于CLK的两个边缘。
读取和写入访问到DDR存储器突发式;
存取开始在一个选定的位置，并继续进行编程
在编程顺序位置号。访问开始时的
一个活跃的命令，然后接着是READ或注册
写命令。注册暗合了读取的地址位
或写命令用于选择银行和起始列
地点为突发访问。
DDR的IMOD提供了可编程的读或写突发
2 ，4或8的位置的长度。自动预充电功能可以是
使能，以提供一个自定时行预充电在被启动，它将
的突发访问结束。
在DDR SDRAM架构的流水线，多排建筑
允许并发操作，从而提供高效的频带 -
宽度，通过隐藏行预充电和激活时间。
一个自动刷新模式设置，以及一个省电加电
掉电模式。
功能说明
读取和写入访问到DDR SDRAM是突发式;访问
开始在一个选定的位置，并继续进行位置设定的号码
在一个编程序列。访问开始以积极的报名
命令，然后接着读或写命令。地址
注册与激活命令位用于选择
要访问银行和行（ BA
0
和BA
1
选择银行，
0
-A
12
选择
行） 。地址位注册暗合了读或写的COM
命令被用来选择突发存取的起始列的位置。
之前的正常运行中， IMOD必须被初始化。以下各节
提供详细的信息，包括设备初始化，寄存器定义，
命令说明和设备操作。
初始化
的DDR SDRAM必须被加电并以预定的方式进行初始化。
比规定可能会导致不确定的其它业务程序
操作。电源必须首先被应用到V
CC
和V
CCQ
同时，与
然后到V
REF
（和系统V
TT
). V
TT
V后，必须应用
CCQ
为了避免
装置闭锁，这可能导致器件的永久性损坏。 V
REF
可以V之后应用
CCQ
但预计将在V标称重合
TT
.
除CKE ，输入无法识别为有效，直至F以后，
REF
被施加。
CKE电期间必须确保DQ和DQS输出将
处于高阻状态，他们将在那里停留，直到在正常运行驱动
（通过读访问） 。所有电源后，电源和参考电压是稳定的，
和时钟稳定后， IMOD需要200us的延迟施加前
可执行的命令。
一旦200us的延时已经满足，取消选定或NOP命令
应适用，并且CKE应拉高。继NOP的COM
命令，预充电ALL命令应该被应用。接下来一个负载模式
应为扩展模式寄存器（ BA发出REGISTER命令
1
LOW和BA
0
高），以使该DLL ，接着另一负荷模式
register命令模式寄存器（ BA
0
/ BA
1
既低）来复位
DLL和编程操作参数。两百个时钟周期是
该DLL复位，任何读命令之间需要。预充电
ALL命令应该再被应用，将设备中的所有银行闲置
状态。
一旦处于空闲状态时， 2自动预充电周期，必须执行
（ tRFC必须满足） 。此外，加载模式寄存器命令
为模式寄存器复位DLL位无效（即编程operat-
荷兰国际集团的参数，无需重新设定DLL）是必需的。以下这些要求
ments ， DDR的IMOD可以正常运行。
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高性能，集成的内存模块产品
2009年2月2日LDS - L9D125G80BG4 -C
LOGIC [ LOGIC DEVICES INCORPORATED ]
