1N4150T/R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N4150T/R
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内容描述：	[DIODE 0.3 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	8 页 / 57 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

High-speed diodes

1N4150; 1N4151

handbook, halfpage

(µA)

MGD290

MGD004

handbook, halfpage

1.2

(pF)

1.0

(1)

(2)

0.8

−1

0.6

−2

100

Tj ( C)

200

0.4

VR (V)

(1) V

= 75 V; typical values.

(2) V

= 20 V; typical values.

f = 1 MHz; T

= 25

°C.

Fig.5

Reverse current as a function of junction

temperature.

Fig.6

Diode capacitance as a function of reverse

voltage; typical values.

1999 Jun 01

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