1N4150T/R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N4150T/R
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内容描述：	[DIODE 0.3 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	8 页 / 57 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

High-speed diodes

1N4150; 1N4151

handbook, full pagewidth

D.U.T.

10%

SAMPLING

OSCILLOSCOPE

R i = 50

Ω

90%

RS = 50

Ω

V = VR I F x R S

t rr

(1)

MGA881

input signal

output signal

(1) The value of I

is dependent on product type.

Fig.7 Reverse recovery voltage test circuit and waveforms.

1 k

Ω

450

Ω

90%

1.0

(V)

R S = 50

Ω

D.U.T.

OSCILLOSCOPE

R i = 50

Ω

10%

MBH181

Vfr

tfr

input

signal

output

signal

Input signal:

forward pulse rise time t

= 0.4 ns; forward pulse duration t

= 100 ns; duty factor

= 0.01.

Fig.8 Forward recovery time test circuit and waveforms.

1999 Jun 01

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