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T2316162A-50 参数 Datasheet PDF下载

T2316162A-50图片预览
型号: T2316162A-50
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内容描述: 1024K ×16动态RAM EDO页模式 [1024K x 16 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 139 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T2316162A
电容
( TA = 25℃ , VCC = 5V
±10
%)
参数
输入电容(地址)
输入电容(时钟)
输出电容(输入数据,数据出)
符号
CI1
CI2
典型值
-
-
最大
5
7
单位
pF
pF
笔记
1
1
1
干熄焦
-
10
pF
注意:
1.电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
AC电气特性
(注14 )
(大= 0 〜70 ° C, VCC = 5V
±10
% , VSS = 0V)
测试条件(注29 )
AC特性
参数
读或写周期时间
读写周期时间
EDO -页面模式读取或写入周期时间
EDO -PAGE -MODE读 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从OE访问时间
从列地址访问时间
从CAS预充电时间访问
RAS脉冲宽度
RAS脉冲宽度( EDO页面模式)
RAS保持时间
RAS预充电时间
CAS脉冲宽度
CAS保持时间
CAS预充电时间( EDO页面模式)
RAS到CAS的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
RAS到列地址的延迟时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间(参考
RAS )
列地址到RAS交货时间
-45
最小最大
TRC
80
tRWC 105
TPC
16
TPCM 46
TRAC
45
大隘社
11
符号
TOAC
TAA
TACP
tRAS的
tRSH
激进党
TCAS
TCSH
TCP
tRCD的
TCRP
TASR
tRAH
TRAD
TASC
tCAH
TAR
二尖瓣
45
11
28
6
40
5
10
5
0
5
8
0
6
35
19
34
10K
tRASC 45
11
19
22
10K
100K
50
50
13
30
8
40
6
12
5
0
8
10
0
8
38
23
37
10K
-50
最小最大
84
113
20
58
50
13
13
25
27
10K
100K
60
60
15
40
15
60
10
20
5
0
10
12
0
10
45
30
45
10K
-60
单位注
最小最大
110
ns
140
ns
25
NS 22
70
NS 22
60
NS 4
15
15
30
35
10K
100K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
26
19
23
7,18
19
27
5,20
13,20
20
26
28
30
8
18
18
TM科技公司保留权利
P. 4
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:四月2002年
版本:电子