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T2316162A-50 参数 Datasheet PDF下载

T2316162A-50图片预览
型号: T2316162A-50
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内容描述: 1024K ×16动态RAM EDO页模式 [1024K x 16 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 139 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T2316162A
-45
-50
-60
单位注
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
0
0
0
NS 15,18
0
0
0
NS 9,15,19
0
3
3
15
8
0
6
35
6
9
8
0
6
35
61
35
27
2.5
10
10
10
6
5
3
2
0
6
4
3
7
50
16
0
8
38
8
9
8
0
8
38
64
39
27
2.5
10
10
10
10
5
5
5
0
10
5
3
10
50
16
0
3
3
15
8
0
10
45
15
10
10
0
10
45
85
55
40
2.5
10
10
10
15
5
10
10
0
10
5
3
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50
16
0
3
3
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9
20
10,17,
20
17,28
11,15,1
8
15,27
15
15
15
15,19
12,20
12,20
11
11
11,18
AC电气特性
(
持续
)
AC特性
参数
READ命令设置时间
读命令保持时间参考CAS
读命令保持时间参考RAS
CAS到输出中低Z
符号
储税券
传输信道
tRRH
TCLZ
输出缓冲关断延迟从CAS或TOFF1
RAS
tOFF2
输出缓冲器关断,以OE
写命令设置时间
写命令保持时间
写命令保持时间(参考
RAS )
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据的建立时间
数据保持时间
数据保持时间(参考RAS )
RAS以拖延时间
列地址来拖延时间
CAS以拖延时间
转换时间(上升或下降)
刷新周期( 1024次)
RAS到CAS预充电时间
CAS建立时间( CBR刷新)
CAS保持时间( CBR刷新)
OE保持时间从我们在读 -
修改 - 写周期
OE低到高CAS建立时间
来自中科院高OE高保持时间
OE高脉冲宽度
OE设置之前,中科院过程中隐藏的
刷新周期
最后CAS去低一CAS
返回HIGH
数据输出保持CAS后返回低电平
我们从输出禁用延迟
TWCS
TwCh
TWCR
TWP
tRWL
Tcwl
TDS
TDH
TDHR
tRWD
tAWD
TCWD
tT
TREF
TRPC
TCSR
tCHR
TOEH
脚趾
tOEHC
tOEP
托德
TCLCH
TCOH
tWHZ
NS 2,3
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
21
1,18
1,19
16
TM科技公司保留权利
P. 5
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:四月2002年
版本:电子