AGR18045E
45 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
开关特性
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
= 38
漏源击穿电压（V
GS
= 0 V，I
D
= 200
µA)
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
G
FS
65
—
—
—
3.8
—
—
—
—
—
3.2
—
—
1.5
75
4
—
—
μAdc
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 26 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 150 µA)
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A)
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 0.4 A)
μAdc
S
门静态电压（V
DS
= 26 V，I
D
= 400 mA）的
表5. RF特性
参数
漏 - 栅电容
(V
DS
= 26 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫）
漏极 - 源极电容
(V
DS
= 26 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫）
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
V
GS （ Q）
4.8
—
—
0.22
VDC
VDC
VDC
符号
动态特性
C
RSS
C
OSS
民
—
—
典型值
1.0
24
最大
—
—
UN I T
pF
pF
EDGE线性特性
(P
OUT
= 15 W， F = 1.840千兆赫，V
DS
= 26 V，I
DQ
= 400 mA）的
调制频谱@ ± 400千赫
调制频谱@ ± 600千赫
漏EF网络效率
(V
DS
= 26 V ，P
OUT
= 15 W，I
DQ
= 400 mA）的
功率增益
(V
DS
= 26 V ，P
OUT
= 15 W，I
DQ
= 400 mA）的
（以
杰尔系统提供的测试治具）
功能测试* （在
提供的测试治具）
G
L
η
—
15
32
—
—
dB
%
—
—
P1dB
IRL
ψ
—
—
–63
–73
49
—
—
—
—
dBc的
dBc的
W
输入回波损耗
输出功率
(V
DS
= 26 V ，为1 dB增益压缩，我
DQ
= 400 mA）的
耐用性
(V
DS
= 26 V ，P
OUT
= 45 W，I
DQ
= 400毫安，
VSWR = 10 ： 1 [各个角度] ）
在产量不降低
力。
—
–12
dB
*跨全DCS频段， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
