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AGR18045E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR18045E
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内容描述: 45 W, 1.805 GHz的- 1.880 GHz的, LDMOS RF功率晶体管 [45 W, 1.805 GHz-1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 407 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR18045E
45 W, 1.805 GHz的- 1.880 GHz的, LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
(续)
-20.0
-25.0
-30.0
-35.0
IMD3 ( DBC)
-40.0
-45.0
-50.0
-55.0
-60.0
I
DQ
= 400毫安
I
DQ
= 550毫安
I
DQ
= 475毫安
I
DQ
= 250毫安
I
DQ
= 325毫安
0.1
1.0
P
OUT
( W) ( PEP )在
10.0
100.0
测试条件:
V
DD
= 26 V , FC = 1842.5兆赫, TWO- TONE测量, 100 kHz间隔。
图8.互调失真与输出功率
50
45
G
PS
(分贝) ,漏极效率( % )z
40
35
30
25
20
15
10
5
0
G
PS
600千赫
400千赫
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
-75
100.0
频谱再生( DBC) ž
0.1
1.0
P
OUT
(W )z
10.0
测试条件:
V
DD
= 26 V,I
DQ
= 400 mA时, FC = 1842.5兆赫,沿调制。
图9.功率增益,效率和频谱再生与输出功率