AGR18045E
45 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
A
RD
U
CT
S
拖车
0.0
Ð
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
170
0.49
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.6
1.8
1.4
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
0.0
A
D
＆ LT ; d
A
RD
L
O
S
拖车
±
180
GTH
-170
L
EN
E
0.2
0.49
0.1
-90
0.4
0.48
)
/
Yo
（ -JB
CE
0.6
f3
0.
8
7
0.4
V
WA
＆ LT ; d
-160
-85
N
TA
EP
SC
1.
V
TI
UC
4
0.0
0
-15
0.4
0.3
6
-70
06
0.
0
-65
.5
0.6
-60
1.6
0.7
1.4
0.8
1.2
5
-5
0.9
1.0
0
-5
5
-4
千兆赫（ F）
1.805 (f1)
1.843 (f2)
1.880 (f3)
Z
S
Ω
Z
L
Ω
（复
信号源阻抗） （复杂最佳负载阻抗）
3.33 – j7.50
5.76 – j3.74
3.18 – j7.14
5.53 – j3.45
3.03 – j6.88
5.34 – j3.24
门（2）
Z
S
漏（1）
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
F
32
0.
18
0.
0.3
0.1
3
7
-30
-60
1.8
0
-5
-25
44
0.
0
2.
0.3
0.1
4
6
-3
5
-70
0.35
0.15
0.36
0.14
-80
-4
0
0.37
0.13
0.4
0.2
-90
0.12
0.38
0.11
-100
0.39
CA
P
A
0.1
0.4
-110
CI
T
香港专业教育学院
RE
A
0.0
CT
A
NC
EC
OM
0.4
9
1
-12
0
0.0
8
PO
N
0.4
2
EN
T
(-j
4
-1
0.
0.4
4
X/
0
-20
3.
O
),
Zo
5
5
0.0
0
f3
IN
D
-75
R
-15
4.0
Z
S
f1
-4
U
ES
-80
5.0
0.2
0
-10
Z
L
f1
50
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
50
20
10
1.
0
0.8
0.6
0.6
0.4
Z
0
= 4
Ω
0.48
IN
D
90
0.
8
10
0.1
-1
20
0.25
0.26
0.24
0.27
0.23
0.25
0.24
0.26
0.23
0.27
REFL
ECTI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
D
EGRE
L
E
OF
ES
昂
I
SSI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
茶
N
SM
D
EGR
EES
L
E
OF
昂
0.2
0.2
0.3
0
50
-20
0.2
2
0.2
8
0.2
9
0.2
1
-30
0.
19
0.
31
0.
07
30
0.
43
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
