Si4532DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
16
I D - 漏电流（ A）
5V
12
I D - 漏电流（ A）
16
25_C
12
125_C
8
20
T
C
= –55_C
P沟道
传输特性
8
4V
4
3V
0
0
2
4
6
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏极电流
0.40
700
600
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.32
Ç - 电容（pF ）
500
400
300
电容
C
国际空间站
0.24
V
GS
= 4.5 V
0.16
V
GS
= 10 V
0.08
C
OSS
200
100
C
RSS
0
0
3
6
9
12
15
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
栅极电荷
2.0
1.8
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
日前，Vishay Siliconix公司， LAURELWOOD路2201 ，圣克拉拉， CA 95054
S
电话(408)988-8000
S
FaxBack (408)970-5600
S
www.siliconix.com
S- 56944 -REV 。 D， 23 - NOV- 93
Siliconix公司的前身是TEMIC半导体公司的一个分公司
3-5
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
