Si4532DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源漏二极管正向电压
20
P沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.5
I S - 源电流（ A）
10
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.4
0.3
I
D
= 2.5 A
0.2
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.1
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.8
阈值电压
30
单脉冲功率
0.6
25
V GS （ TH）方差（V ）
0.4
功率（W）的
I
D
= 250
mA
0.2
20
15
0.0
10
–0.2
5
–0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归一化瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
日前，Vishay Siliconix公司， LAURELWOOD路2201 ，圣克拉拉， CA 95054
S
电话(408)988-8000
S
FaxBack (408)970-5600
S
www.siliconix.com
S- 56944 -REV 。 D， 23 - NOV- 93
Siliconix公司的前身是TEMIC半导体公司的一个分公司
3-6
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
