VG26S17400EJ-5 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG26S17400EJ-5
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内容描述：	4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM [4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	25 页 / 211 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VIS

DC Characteristics; 5 - Volt verion

= 0 to 70°C, V

= + 5V

10%, V

= 0V)

VG26 (V) (S) 17400E

Parameter

Operating

current

Low

power

S - version

Symbol

Test Conditions

RAS cycling

CAS cycling

= min.

TTL interface

RAS, CAS = V

Dout = high - Z

CMOS interface

RAS, CAS

Standby Standard

Current power

version

CC2

-5

Min

Max

110

Min

-6

Max

VG26(V)(S)17400E

4,194,304 x 4 - Bit

CMOS Dynamic RAM

Unit Notes

CC1

100 mA

1, 2

0.25

≥

V CC - 0.2V

Dout = high - Z

TTL interface

RAS, CAS = V

Dout = high - Z

CMOS interface

RAS, CAS

RAS - only

refresh current

Fast page mode

current

CAS - before - RAS

refresh current

Self - refresh currant

(S - Version)

CAS - before - RAS

long refresh

current (S - Version)

CC3

CC4

= min.

CC5

CC8

CC9

= min.

RAS, CAS cycling

tRASS

≥

100µS

Standby : V

- 0.2V

≤

RAS

CAS before RAS refresh :

2048 cycles/128ms

RAS, RAS : 0V

≤

V IL

≤

0.2V

- 0.2V

≤

V IH

≤

V IH (Max)

Dout = high - Z, tRAS

≤

300ns

110

350

500

100

350

µA

500

µA

≥

V CC - 0.2V

110

100

Dout = high - Z

RAS cycling, CAS = V

= min.

1, 2

1,3

Document : 1G5-0142

Rev.1

Page 6

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