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    VG26S17400EJ-5 参数 Datasheet PDF下载

    VG26S17400EJ-5图片预览
    型号： VG26S17400EJ-5
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM [4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 25 页 / 211 K
    品牌： VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号VG26S17400EJ-5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VG26S17400EJ-5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VG26S17400EJ-5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VG26S17400EJ-5的Datasheet PDF文件第7页浏览型号VG26S17400EJ-5的Datasheet PDF文件第9页浏览型号VG26S17400EJ-5的Datasheet PDF文件第10页浏览型号VG26S17400EJ-5的Datasheet PDF文件第11页浏览型号VG26S17400EJ-5的Datasheet PDF文件第12页  
    VIS
    DC Characteristics ; 3.3 - Volt Verion
    (T
    a
    = 0 to 70°C, V
    CC
    = + 3.3V
    ±
    10%, V
    ss
    = 0V)
    VG26 (V) (S) 17400E
    Parameter
    Symbol
    Test Conditions
    Min
    Operating
    current
    Low
    power
    S - version
    I
    CC1
    RAS cycling
    CAS cycling
    t
    RC
    = min.
    LVTTL interface
    RAS, CAS = V
    IH
    Dout = high - Z
    CMOS interface
    RAS, CAS
    ≥
    V
    CC
    - 0.2V
    Dout = high - Z
    Standby Standard
    Current power
    version
    I
    CC2
    LVTTL interface
    RAS, CAS = V
    IH
    Dout = high - Z
    CMOS interface
    RAS, CAS
    ≥
    V
    CC
    - 0.2V
    Dout = high - Z
    RAS - only
    refresh current
    Fast page mode
    current
    CAS - before - RAS
    refresh current
    Self - refresh currant
    (S - Version)
    CAS - before - RAS
    long refresh
    current (S - Version)
    I
    CC3
    I
    CC4
    t
    PC
    = min.
    I
    CC5
    I
    CC8
    I
    CC9
    t
    RC
    = min.
    RAS, CAS cycling
    t
    RASS
    ≥
    100µS
    Standby : V
    CC
    - 0.2V
    ≤
    RAS
    CAS before RAS refresh :
    2048 cycles/128ms
    RAS, RAS : 0V
    ≤
    V
    I L
    ≤
    0.2V
    V
    CC
    - 0.2V
    ≤
    V
    IH
    ≤
    V
    IH
    (Max)
    Dout = high - Z, t
    RAS
    ≤
    300ns
    -
    -
    -
    110
    250
    300
    -
    -
    -
    100
    RAS cycling, CAS = V
    IH
    t
    RC
    = min.
    -
    -
    110
    80
    -
    -
    100
    -
    2
    -
    2
    -
    -
    -5
    Max
    110
    0.5
    Min
    -
    -
    -6
    Max
    VG26(V)(S)17400E
    4,194,304 x 4 - Bit
    CMOS Dynamic RAM
    Unit Notes
    100 mA
    0.5
    mA
    1, 2
    -
    0.25
    -
    0.25
    mA
    mA
    -
    0.5
    -
    0.5
    mA
    1, 2
    mA
    70
    mA
    1, 2
    mA
    250
    µA
    300
    µA
    1,3
    Document : 1G5-0142
    Rev.1
    Page 8

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