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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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AP16N50W产品参数
型号:AP16N50W
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):72 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (ID):16 A
最大漏源导通电阻:0.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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