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产品型号BC546ATA的概述

芯片BC546ATA的概述 BC546ATA是一款广泛应用的NPN小信号晶体管,属于三极管(Transistor)中的一种,主要用于放大和开关应用。此器件的设计使得其在多个电子电路中发挥关键作用,尤其是用于低频增益应用、音频放大、谐振电路以及开关电路等。由于其优良的电流放大特性和较小的封装体积,BC546ATA在消费电子、通信设备以及工业设备中都得到了广泛的应用。 BC546ATA的工作原理基于PN结的特性,通过控制基极电流,使得集电极与发射极之间的电流得以放大。这种类型的晶体管常被用于信号放大回路中,可以在低功耗的情况下实现较大的信号放大比。 芯片BC546ATA的详细参数 主要电气特性 1. 类型:NPN小信号三极管 2. 最大集电极电压(Vce):65 V 3. 最大集电极电流(Ic):100 mA 4. 最大功耗(Ptot):500 mW 5. 直流电流增益(hFE):100...

产品型号BC546ATA的Datasheet PDF文件预览

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by BC546/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
BC  
BC  
BC  
546  
547  
548  
Rating  
CollectorEmitter Voltage  
CollectorBase Voltage  
EmitterBase Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
45  
30  
80  
50  
30  
Vdc  
6.0  
100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
CollectorEmitter Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mA, I = 0)  
BC546  
BC547  
BC548  
V
65  
45  
30  
V
V
V
(BR)CEO  
C
B
CollectorBase Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc)  
C
BC546  
BC547  
BC548  
V
80  
50  
30  
(BR)CBO  
EmitterBase Breakdown Voltage  
BC546  
BC547  
BC548  
V
6.0  
6.0  
6.0  
(BR)EBO  
(I = 10 A, I = 0)  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 70 V, V  
= 50 V, V  
= 35 V, V  
= 0)  
= 0)  
= 0)  
BC546  
BC547  
BC548  
BC546/547/548  
0.2  
0.2  
0.2  
15  
15  
15  
4.0  
nA  
BE  
BE  
BE  
= 30 V, T = 125°C)  
µA  
A
REV 1  
Motorola, Inc. 1996  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (Continued)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
FE  
(I = 10 µA, V  
= 5.0 V)  
CE  
BC547A/548A  
BC546B/547B/548B  
BC548C  
90  
150  
270  
C
(I = 2.0 mA, V  
C CE  
= 5.0 V)  
BC546  
BC547  
BC548  
BC547A/548A  
BC546B/547B/548B  
BC547C/BC548C  
110  
110  
110  
110  
200  
420  
180  
290  
520  
450  
800  
800  
220  
450  
800  
(I = 100 mA, V  
C
= 5.0 V)  
CE  
BC547A/548A  
BC546B/547B/548B  
BC548C  
120  
180  
300  
CollectorEmitter Saturation Voltage  
(I = 10 mA, I = 0.5 mA)  
V
V
V
CE(sat)  
0.09  
0.2  
0.3  
0.25  
0.6  
0.6  
C
B
(I = 100 mA, I = 5.0 mA)  
C
C
B
B
(I = 10 mA, I = See Note 1)  
BaseEmitter Saturation Voltage  
(I = 10 mA, I = 0.5 mA)  
0.7  
V
V
BE(sat)  
C
B
Base–Emitter On Voltage  
V
BE(on)  
(I = 2.0 mA, V  
(I = 10 mA, V  
C
= 5.0 V)  
CE  
= 5.0 V)  
CE  
0.55  
0.7  
0.77  
C
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
CurrentGain — Bandwidth Product  
f
T
MHz  
(I = 10 mA, V  
= 5.0 V, f = 100 MHz)  
CE  
BC546  
BC547  
BC548  
150  
150  
150  
300  
300  
300  
C
Output Capacitance  
(V = 10 V, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
1.7  
4.5  
pF  
pF  
obo  
CB  
Input Capacitance  
(V = 0.5 V, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
C
10  
ibo  
EB  
C
Small–Signal Current Gain  
h
fe  
(I = 2.0 mA, V  
C
= 5.0 V, f = 1.0 kHz)  
BC546  
BC547/548  
BC547A/548A  
BC546B/547B/548B  
BC547C/548C  
125  
125  
125  
240  
450  
220  
330  
600  
500  
900  
260  
500  
900  
CE  
Noise Figure  
NF  
dB  
(I = 0.2 mA, V  
f = 1.0 kHz, f = 200 Hz)  
= 5.0 V, R = 2 k ,  
BC546  
BC547  
BC548  
2.0  
2.0  
2.0  
10  
10  
10  
C
CE  
S
Note 1: I is value for which I = 11 mA at V = 1.0 V.  
CE  
B
C
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
2.0  
1.5  
1.0  
0.9  
V
= 10 V  
= 25°C  
T
= 25°C  
CE  
A
T
A
0.8  
0.7  
V
@ I /I = 10  
C B  
BE(sat)  
1.0  
0.8  
V
@ V  
= 10 V  
CE  
0.6  
0.5  
0.4  
BE(on)  
0.6  
0.4  
0.3  
0.3  
0.2  
0.1  
V
@ I /I = 10  
C B  
CE(sat)  
0.2  
0
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
5.0 10  
20  
50  
100  
200  
0.1  
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0  
2.0 3.0 5.0 7.0 10  
20 30 50 70 100  
I
, COLLECTOR CURRENT (mAdc)  
I , COLLECTOR CURRENT (mAdc)  
C
C
Figure 1. Normalized DC Current Gain  
Figure 2. “Saturation” and “On” Voltages  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
1.0  
1.2  
1.6  
2.0  
2.4  
2.8  
T
= 25  
°
C
–55°C to +125°C  
A
I
= 200 mA  
C
I
= 50 mA  
I = 100 mA  
C
I
=
I =  
C
C
C
10 mA 20 mA  
0.02  
0.1  
1.0  
, BASE CURRENT (mA)  
10 20  
0.2  
1.0  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
10  
100  
I
B
Figure 3. Collector Saturation Region  
Figure 4. Base–Emitter Temperature Coefficient  
BC547/BC548  
10  
7.0  
5.0  
400  
300  
T
= 25°C  
A
200  
C
ib  
V
T
= 10 V  
CE  
= 25  
100  
80  
°C  
3.0  
2.0  
A
C
ob  
60  
40  
30  
1.0  
20  
0.4 0.6 0.8 1.0  
2.0  
4.0 6.0 8.0 10  
20  
40  
0.5 0.7 1.0  
2.0  
I , COLLECTOR CURRENT (mAdc)  
C
3.0  
5.0 7.0 10  
20  
30  
50  
V
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)  
R
Figure 5. Capacitances  
Figure 6. Current–Gain – Bandwidth Product  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
3
BC547/BC548  
1.0  
T
= 25°C  
A
V
= 5 V  
CE  
= 25  
0.8  
T
°C  
A
V
@ I /I = 10  
C B  
BE(sat)  
2.0  
1.0  
0.5  
0.6  
0.4  
0.2  
V
@ V  
= 5.0 V  
CE  
BE  
0.2  
V
@ I /I = 10  
C B  
CE(sat)  
0
0.1 0.2  
1.0  
10  
100  
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
5.0  
10  
20  
50  
100 200  
I
, COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
Figure 7. DC Current Gain  
Figure 8. “On” Voltage  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
–1.0  
–1.4  
–1.8  
–2.2  
–2.6  
–3.0  
T
= 25°C  
A
100 mA  
200 mA  
20 mA  
50 mA  
θ
for V  
BE  
VB  
–55°C to 125°C  
I
=
C
10 mA  
0.02  
0.05 0.1  
0.2  
0.5  
1.0 2.0  
5.0  
10  
20  
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
5.0  
10  
20  
50  
100 200  
I
, BASE CURRENT (mA)  
B
Figure 9. Collector Saturation Region  
Figure 10. Base–Emitter Temperature Coefficient  
BC546  
40  
T
= 25°C  
V
= 5 V  
A
CE  
= 25°C  
500  
T
A
20  
10  
C
ib  
200  
100  
50  
6.0  
4.0  
C
ob  
20  
2.0  
0.1 0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
5.0  
10  
20  
50  
100  
1.0  
5.0 10  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
50 100  
V
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)  
R
Figure 11. Capacitance  
Figure 12. Current–Gain – Bandwidth Product  
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
PACKAGE DIMENSIONS  
NOTES:  
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI  
Y14.5M, 1982.  
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.  
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R  
IS UNCONTROLLED.  
A
B
4. DIMENSION F APPLIES BETWEEN P AND L.  
DIMENSION D AND J APPLY BETWEEN L AND K  
MINIMUM. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED  
IN P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.  
R
P
L
F
SEATING  
PLANE  
INCHES  
MIN  
MILLIMETERS  
K
DIM  
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
MAX  
0.205  
0.210  
0.165  
0.022  
0.019  
0.055  
0.105  
0.020  
–––  
MIN  
4.45  
4.32  
3.18  
0.41  
0.41  
1.15  
2.42  
0.39  
12.70  
6.35  
2.04  
–––  
MAX  
5.20  
5.33  
4.19  
0.55  
0.48  
1.39  
2.66  
0.50  
–––  
0.175  
0.170  
0.125  
0.016  
0.016  
0.045  
0.095  
0.015  
0.500  
0.250  
0.080  
–––  
D
J
X X  
G
H
V
SECTION X–X  
C
–––  
–––  
0.105  
0.100  
–––  
2.66  
2.54  
–––  
1
N
R
V
0.115  
0.135  
2.93  
3.43  
N
–––  
–––  
STYLE 17:  
PIN 1. COLLECTOR  
2. BASE  
3. EMITTER  
CASE 029–04  
(TO–226AA)  
ISSUE AD  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
5
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BC546/D  
配单直通车
BC546ATA产品参数
型号:BC546ATA
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
制造商包装代码:135AR
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.67
其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:65 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):110
JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.625 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz
Base Number Matches:1
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