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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 深圳市恒意创鑫电子有限公司

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  • 深圳市腾浩伟业电子有限公司

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产品型号BSC159N10LSFG的概述

芯片BSC159N10LSFG的概述 BSC159N10LSFG是一款高性能的N沟道MOSFET,设计用于开关和放大应用。它属于Infineon Technologies公司生产的OptiMOS系列,广泛应用于电源管理、马达驱动和其他需要高效能的电路中。该芯片以其低导通电阻和快速开关特性著称,因此...
配单直通车
BSC159N10LSFG产品参数
型号:BSC159N10LSFG
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.19
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):155 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):63 A
最大漏极电流 (ID):9.4 A
最大漏源导通电阻:0.0159 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):114 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):252 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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