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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 深圳市恒意创鑫电子有限公司

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  • 深圳市腾浩伟业电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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产品型号BSF050N03LQ3G的概述

芯片BSF050N03LQ3G的概述 BSF050N03LQ3G是一款N沟道MOSFET,主要用于电源管理和开关应用。作为一款功率器件,其设计目标是通过低导通电阻和高电流承载能力来提升效率。宽广的输入电压范围和较高的耐压能力使得BSF050N03LQ3G在不同领域的优先选择,尤其是在电源转换、直流...
配单直通车
BSF050N03LQ3G产品参数
型号:BSF050N03LQ3G
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:GREEN, METAL, WDSON-2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.78
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):20 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):60 A
最大漏极电流 (ID):15 A
最大漏源导通电阻:0.007 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-MBCC-N2
湿度敏感等级:3
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):28 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):240 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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