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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市雅维特电子有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号BU932RP的概述

BU932RP芯片概述 BU932RP是一款外部可编程的单片微处理器,广泛应用于各种电子设备中。作为一种高效能的控制器,其核心技术使得BU932RP能够在低功耗的情况下,提供较高的处理能力。这款芯片通常被集成在便携式设备、家居自动化系统、以及工业控制设备中。其设计目的在于实现更复杂的任务,并在同时保持高效率的运行状态。 BU932RP详细参数 BU932RP的具体参数包括但不限于: - 工作电压:3.3V - 5V - 功耗:在正常运行下,功耗约为10mW - 频率:主频可达16MHz - 存储器:内置1KB SRAM和2KB的EEPROM - 输入输出引脚:提供多达32个可编程的I/O引脚 - 通信接口:支持I2C、SPI和UART等多种通信协议 - 封装方式:LQFP-32(封装尺寸为7mm x 7mm) - 工作温度范围:-40°C至85°C 厂家、包装和封装 BU932RP芯...

产品型号BU932RP的Datasheet PDF文件预览

INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
BU932RP  
DESCRIPTION  
·High Voltage  
·DARLINGTON  
APPLICATIONS  
·High ruggedness electronic ignitions  
·High voltage ignition coil driver  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
VALUE  
500  
450  
5
UNIT  
V
V
V
15  
A
ICM  
Collector Current-peak  
Base Current  
30  
A
IB  
1
A
IBM  
Base Current-peak  
5
A
Collector Power Dissipation  
@TC=25  
PC  
125  
150  
-40~150  
W
Tj  
Junction Temperature  
Tstg  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNIT  
Thermal Resistance, Junction to Case  
1.0  
/W  
Rth j-c  
isc Websitewww.iscsemi.cn  
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
BU932RP  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TC=25unless otherwise specified  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
TYP.  
MAX  
UNIT  
V
VCEO(SUS)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.1A; IB= 0; L= 10mH  
450  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector Cutoff Current  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
IC= 8 A; IB= 150mA  
IC= 8 A; IB= 150mA  
1.8  
2.2  
V
VCE  
VBE  
(sat)  
V
(sat)  
VCE= 500V;VBE= 0  
1.0  
5.0  
ICES  
mA  
mA  
mA  
VCE= 500V;VBE= 0;Tj= 125℃  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCE= 450V;IB= 0  
1.0  
50  
VEB= 5V; IC= 0  
IC= 5A; VCE= 10V  
IF= 10A  
DC Current Gain  
300  
VECF  
C-E Diode Forward Voltage  
2.8  
V
isc Websitewww.iscsemi.cn  
配单直通车
BU932RP产品参数
型号:BU932RP
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.58
Is Samacsys:N
最高工作温度:125 °C
Base Number Matches:1
  •  
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  • 封装
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