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CSD16323Q3产品参数和技术文档

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CSD16323Q3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.51520
$1,288.00
5,000
0.48944
$2,447.20

CSD16323Q3产品参数

品牌:Texas Instruments

描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON

详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 21A(Ta),60A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON-CLIP(3.3x3.3)

制造商:Texas Instruments

系列:NexFET™

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Ta),60A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):3V,8V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 24A,8V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):8.4nC @ 4.5V

Vgs(最大值):+10V,-8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 12.5V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-VSON-CLIP(3.3x3.3)

封装/外壳:8-PowerTDFN

标准包装:2,500

其它名称:296-24522-2

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