CSD16325Q5产品参数

品牌：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON

详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 33A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）

制造商：Texas Instruments

系列：NexFET™

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：33A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，8V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2 毫欧 @ 30A，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：+10V，-8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4000pF @ 12.5V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）

封装/外壳：8-PowerTDFN

标准包装：2,500

其它名称：296-24964-2

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）