CSD16411Q3产品参数

品牌：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON

详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 14A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）

制造商：Texas Instruments

系列：NexFET™

包装：Digi-Reel®

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14A（Ta），56A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.8nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：+16V，-12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：570pF @ 12.5V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.7W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-VSON（3.3x3.3）

封装/外壳：8-PowerVDFN

标准包装：1

其它名称：296-24255-6