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| 型号: | CSD18542KCS |
| Brand Name： | Texas Instruments |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 1.69 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 281 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | Single |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 170 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 14 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
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