CY7C1069AV33-10ZXC的概述
CY7C1069AV33-10ZXC是一款由Cypress Semiconductor(现为Infineon Technologies的一部分)生产的高性能静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款SRAM以其高速度和低功耗的特点,广泛应用于各种嵌入式系统、通信设备及计算机系统中。CY7C1069AV33-10ZXC不仅具备高带宽的存取能力,还显示出优越的可靠性和稳定性,适合用于需要快速数据存取和存储的高性能应用场合。
详细参数
CY7C1069AV33-10ZXC具有一些显著的技术参数,以下是主要的性能指标:
1. 存储容量: 1Mb (128K x 8) 2. 访问时间: 10ns 3. 供电电压: 3.0V至3.6V,支持低电压操作以节约功耗。 4. 封装类型: 44-Lead TSOP II 5. 功耗: 在工作模式下,功耗为150mA,待机模式下功耗大约为20µA。 6. 工作温度范围: -40°C至+85°C,适合工业级应用。 7. 输入/输出类型: 3.3V兼容的TTL和CMOS输入输出。 8. 数据保持时间: 0ns(对于静态RAM无需电源也能保持数据)
厂家、包装与封装
Cypress Semiconductor是CY7C1069AV33-10ZXC的制造商,这是一家公司在快速存储解决方案领域中的领军者,尤其专注于SRAM和EEPROM产品。该芯片的封装采用了标准的44引脚TSOP II(Thin Small Outline Package),这种封装形式有助于在紧凑的空间内提供高性能,同时便于焊接和安装。
在市场上,CY7C1069AV33-10ZXC通常以每个芯片单独包装的方式出售。此外,也可以在整箱或卷盘(tape and reel)形式购买,以满足大规模生产的需要。
引脚说明
CY7C1069AV33-10ZXC芯片的引脚总数为44个,以下是芯片的引脚功能说明:
1. A0-A16: 地址引脚,决定要访问的存储单元。 2. DQ0-DQ7: 数据引脚,用于存取存储器中存储的数据。 3. WE: 写使能引脚,低电平有效,控制写入操作。 4. OE: 输出使能引脚,低电平有效,控制输出数据的有效性。 5. CE: 芯片使能引脚,低电平有效,启用芯片。 6. VCC: 电源引脚,连接到3.3V供电。 7. VSS: 地引脚,接地。 8. NC: 无连接引脚,未使用或弃用脚。
这些引脚的合理配置能够确保芯片在各种条件下稳定运行。
电路图说明
电路图通常展示了芯片与主控电路之间的连接方式。对于CY7C1069AV33-10ZXC,连接方式一般包括以下几个方面:
1. 电源连接:VCC和VSS必须按照芯片的电气特性正确连接,以确保稳定性。 2. 地址引脚:地址引脚A0至A16根据存储需求进行连接,通常由控制器提供。 3. 数据引脚:数据引脚DQ0至DQ7与微处理器或其他控制设备的I/O端口相连。 4. 控制引脚:WE、OE和CE由控制电路逻辑输出,用以控制数据的读取和写入过程。
在许多应用中,可能需要额外的去耦电容,以确保电源的稳定性,避免电压波动对芯片性能造成负面影响。
使用案例
CY7C1069AV33-10ZXC的应用领域非常广泛,以下是几个典型使用案例:
1. 嵌入式系统设计:许多嵌入式设备需要快速的读写操作,CY7C1069AV33-10ZXC可以作为系统RAM,满足实时数据处理要求。 2. 网络通信设备:在路由器、交换机等网络设备中,SRAM用于快速缓存数据包,确保数据的高效传输。
3. 工业控制:在工业自动化系统中,CY7C1069AV33-10ZXC可以在执行控制程序时作为临时存储器,用于数据处理和状态监控。
4. 图像处理:在图像处理应用中,CPU与SRAM之间的快速数据交互是非常重要的,因此,该芯片也能有效地用于存储图像数据。
通过这些应用,可以看出CY7C1069AV33-10ZXC是一个功能强大且灵活的存储解决方案,能够满足现代电子系统发展的需求。在不同行业和应用场景中,这款芯片以其高性能和可靠性而被广泛采用。
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型号: | CY7C1069AV33-10ZXC |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | ROCHESTER ELECTRONICS LLC |
零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | LEAD FREE, TSOP2-54 |
针数: | 54 |
Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.51 |
最长访问时间: | 10 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 |
JESD-609代码: | e3 |
长度: | 22.415 mm |
内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 54 |
字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 2MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | COMMERCIAL |
座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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