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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 原装正品现货,郑重承诺只做原装!
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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • 专业二三极管,集成IC,电源管理,汽车电子,光电耦合,配套物料清单等优势供应商
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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
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DG2012DL-T1产品参数
型号:DG2012DL-T1
是否无铅: 含铅
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:SOIC
包装说明:TSSOP, TSSOP6,.08
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.79
Is Samacsys:N
模拟集成电路 - 其他类型:SPDT
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e0
长度:2 mm
信道数量:1
功能数量:1
端子数量:6
标称断态隔离度:63 dB
通态电阻匹配规范:0.25 Ω
最大通态电阻 (Ron):5.3 Ω
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP6,.08
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:2/5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.1 mm
子类别:Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V
标称供电电压 (Vsup):2 V
表面贴装:YES
最长断开时间:45 ns
最长接通时间:63 ns
切换:BREAK-BEFORE-MAKE
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:1.25 mm
Base Number Matches:1
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