DMC3018LSD-13产品参数

品牌：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC

详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 9.1A, 6A 2.5W Surface Mount 8-SOP

制造商：Diodes Incorporated

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.1A，6A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 6.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：631pF @ 15V

功率 - 最大值：2.5W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP

标准包装：2,500