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  • DS2015图
  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • DS2015
  • 数量35600 
  • 厂家DALLAS 
  • 封装SOP 
  • 批号21+ 
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DS2015产品参数
型号:DS2015
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:DALLAS SEMICONDUCTOR
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88
其他特性:ARBITRER
最大时钟频率 (fCLK):4 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0
内存密度:256 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:4
功能数量:1
端口数量:4
端子数量:18
字数:64 words
字数代码:64
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64X4
输出特性:3-STATE
可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.006 A
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.006 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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