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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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EP2C35F484C6N产品参数
型号:EP2C35F484C6N
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INTEL CORP
包装说明:BGA, BGA484,22X22,40
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:1.35
Is Samacsys:N
其他特性:ALSO REQUIRES 3.3 SUPPLY
最大时钟频率:500 MHz
JESD-30 代码:S-PBGA-B484
JESD-609代码:e1
长度:23 mm
湿度敏感等级:3
可配置逻辑块数量:2076
输入次数:322
逻辑单元数量:33216
输出次数:306
端子数量:484
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:2076 CLBS
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装等效代码:BGA484,22X22,40
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.2,1.5/3.3,3.3 V
可编程逻辑类型:FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.6 mm
子类别:Field Programmable Gate Arrays
最大供电电压:1.25 V
最小供电电压:1.15 V
标称供电电压:1.2 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:23 mm
Base Number Matches:1
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