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ESM3030DV产品参数
型号:ESM3030DV
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
包装说明:ISOTOP-4
针数:4
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:43 weeks 2 days
风险等级:8.56
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):100 A
集电极-发射极最大电压:300 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):600 ns
JESD-30 代码:R-XUFM-X4
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:225 W
最大功率耗散 (Abs):225 W
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Nickel (Ni)
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2.2 V
Base Number Matches:1
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