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FCPF11N60产品参数和技术文档

FCPF11N60产品图

FCPF11N60产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
2.36000
$2.36
10
2.13600
$21.36
100
1.71630
$171.63
500
1.33490
$667.45
1,000
1.10605
$1,106.05

FCPF11N60产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 36W(Tc) TO-220F

制造商:ON Semiconductor

系列:SuperFET™

包装:管件

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):380 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):52nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1490pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):36W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220F

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:1,000

其它名称:FCPF11N60_NL FCPF11N60_NL-ND

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