FDB5645产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Ta） 125W（Tc） D²PAK（TO-263AB）

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：80A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.5 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：107nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4468pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：125W（Tc）

工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D²PAK（TO-263AB）

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

标准包装：800