FDC365P产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT

详细描述：表面贴装 P 沟道 35V 4.3A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：35V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 4.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：705pF @ 20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：6-SSOT

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

标准包装：3,000

其它名称：FDC365PTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）