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  • 北京中其伟业科技有限公司

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FDC6561AN产品参数和技术文档

FDC6561AN产品图

FDC6561AN产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.21871
$656.14

FDC6561AN产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):95 毫欧 @ 2.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.2nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):220pF @ 15V

功率 - 最大值:700mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装:SuperSOT™-6

标准包装:3,000

其它名称:FDC6561ANTR

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