FDD3706产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 14.7A（Ta），50A（Tc） 3.8W（Ta），44W（Tc） D-PAK（TO-252AA）

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14.7A（Ta），50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 16.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：23nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1882pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），44W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D-PAK（TO-252AA）

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

其它名称：FDD3706-ND FDD3706FSTR