FDD86102产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 100V 8A DPAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8A（Ta），36A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） D-PAK（TO-252）

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A（Ta），36A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1035pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），62W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D-PAK（TO-252）

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

其它名称：FDD86102TR