FDG311N产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.9A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：115 毫欧 @ 1.9A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.5nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：270pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：750mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SC-70-6

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

标准包装：3,000

其它名称：FDG311N-ND FDG311NTR