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FDG6306P产品参数和技术文档

FDG6306P产品图

FDG6306P产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.16452
$493.57

FDG6306P产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6

详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):600mA

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):420 毫欧 @ 600mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):114pF @ 10V

功率 - 最大值:300mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:SC-70-6

标准包装:3,000

其它名称:FDG6306P-ND FDG6306PTR

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