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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市柯尔基电子有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
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  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市亿鸿丰电子科技有限公司

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  • 深圳市芯柏然科技有限公司

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FDP8896产品参数和技术文档

FDP8896产品图

FDP8896产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.35000
$1.35
10
1.19300
$11.93
100
0.94300
$94.30
500
0.73132
$365.66
1,000
0.57736
$577.36

FDP8896产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 30V 16A(Ta),92A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Ta),92A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):5.9 毫欧 @ 35A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):67nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2525pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):80W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:800

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